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业内学者解决功率器件温度升高带来的硅凝胶气泡问题
起源:电气技术杂志 作者:UU国际官网化工 颁布功夫:2022-12-16 10:37 阅读次数:4862
近十年来,绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)从芯片设计、工艺、测试到器件封装技术等方面均获得了沉猛进取。在器件封装方面,有机硅凝胶资料因其拥有良好的耐温、防水和电断气缘机能等,成为电子器件必不成少的封装绝缘资料。目前,硅基IGBT ?楣喾庥玫挠谢枘菏且恢炙榉菁映尚褪椅禄蚣游铝蚧谢枘。
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资料的造备工艺将决定资料的机能,使用机能良好的资料封装大功率半导体 ?,有助于提升 ?榈闹柿亢涂康米⌒。随着半导体资料技术的突破,对功率器件电压和频率提出了更高的要求。更高电压和更快开关频率导致器件在工作过程中产生大量的热量,热量作为副产品影响了封装资料的绝缘机能。

基于目前工艺造备的有机硅凝胶灌封于IGBT ?橹惺,当器件内部温度升高到125℃时,有机硅凝胶内部将产生气泡,并且随着温度升高,硅凝胶内的气泡呈体积增大,数量增多的趋向。绝缘资猜中的气泡将严沉影响资料的绝缘机能,有待提出改进的有机硅凝胶造备工艺。

绝缘资料的击穿个性直接反映资料的绝缘水平,击穿场强是表征电介质绝缘个性的关键电气参数。目前,固然在有机硅凝胶的耐电机能方面已发展了一些钻研,但温度对有机硅凝胶资料工频耐电个性的影响法规和影响机造尚不明确。
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      针对以上问题,华北电力大学的钻研人员具体地钻研了有机硅凝胶的灌封工艺,针对有机硅凝胶利用过程中存在的问题,提出新的脱气曲线,改进有机硅凝胶的造备工艺,提升了有机硅凝胶的产品质量。

钻研人员还分析了温度对有机硅凝胶工频耐电个性的影响法规,他们发现,在测试温度领域内,有机硅凝胶的击穿电压随温度的升高而降落;而当温度达到200℃时,击穿场强降低为39.27kV/mm,约为常温下击穿场强值的一半。

      钻研人员测试了有机硅凝胶的热个性,分析了温度对有机硅凝胶工频耐电个性的影响机造。温度升高时,有机硅凝胶的自由体积增大,分子链段活动加剧;且有机硅凝胶内部载流子迁徙率增大,漏电流增长,故温度升高后,有机硅凝胶的击穿电压降低。

本文源自2021年第2期《电工技术学报》,以及电气技术杂志。仅供学术分享。

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